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横山 淳; 横山 啓一; 高柳 敏幸
Journal of Chemical Physics, 114(4), p.1617 - 1623, 2001/01
被引用回数:6 パーセンタイル:18.61(Chemistry, Physical)ブロモクロロジフルオロタメン(CBrClF)の157nm光分解反応機構及びダイナミックスを光分解片並進分光法を用いて調べた。その結果、C-Cl結合解離(CBrClF→Cl+CBrF)、C-Br結合解離(CBrClF→Br+CClF)及び三体同時解離(CBrClF→Br+Cl+CF)が競争的に起こること、その分岐比は1.0:1.6:0.87であることを明らかにした。また、C-Cl結合解離及びC-Br結合解離で生成するCBrF及びCClFは大部分が回転周期(約1ピコ秒)よりも短い時間内に、C-Br結合解離及びC-Cl結合解離を起こすことがわかった。
佐伯 正克; 大野 新一; 立川 圓造; 東 直人*; 宮崎 哲郎*; 笛木 賢二*
J.Am.Ceram.Soc., 68(3), p.151 - 155, 1985/00
被引用回数:8 パーセンタイル:61.05(Materials Science, Ceramics)80keVD(D,D)イオン注入又はD(DO)を熱的に導入したシリカ中でのD原子の挙動をFT-IR及びESRスペクトロスコピーで調べた。80keVDイオンはシリカ中でOD結合を形成する。熱的に導入した重水素もOD基を形成する。重水素化したシリカを77Kで線照射すると、シリカ中に存在するOH結合と同様に、OD結合も切断され、H及びD原子を生ずる。熱的に導入したOD結合の切断率はOH結合の場合とほぼ同じであったが、Dイオン注入により生じたOD結合の切断率は非常に低かった。しかし、Dイオン注入したシリカを773Kでアニール後に測定すると切断率は著しく増加することが分かった。これらの結果はDイオン自身が作った損傷が線エネルギーの伝播を阻害する結果、OD結合の切断率を低下させているものと考えられる。